[发明专利]蚀刻残渣除去方法以及使用它的半导体器件的制造方法

摘要

谋求蚀刻残渣的剥离性的提高、处理时间的短缩、以及剥离液使用量的减少。在蚀刻残渣除去方法的清洗过程中，进行第1水洗处理(11)、第1干燥处理(12)、剥离液处理(13)、漂洗处理(14)、第2水洗处理(15)、以及、第2干燥处理(16)。在第1水洗处理(11)中，用纯水将绝缘膜以及这之上的金属布线水洗。在第1干燥处理(12)中，例如在常温的氮气氛围中干燥绝缘膜以及金属布线。在剥离液处理(13)中，例如用胺类剥离液将附着在绝缘膜以及金属布线上的蚀刻残渣剥离。在漂洗处理(14)中，例如用漂洗液IPA洗濯绝缘膜以及金属布线。在第2水洗处理(15)中，用纯水将绝缘膜以及金属布线水洗。之后，在第2干燥处理(16)中，例如在常温的氮气氛围中干燥绝缘膜以及金属布线。

主权项

1.一种蚀刻残渣除去方法，用于将除去了形成在绝缘膜上的金属布线上的抗蚀图形后残存的蚀刻残渣除去，其特征在于，进行如下的处理：将所述绝缘膜以及所述金属布线水洗的第1水洗处理；将所述绝缘膜以及所述金属布线干燥的第1干燥处理；用剥离液将附着在所述绝缘膜以及所述金属布线上的所述蚀刻残渣剥离的剥离液处理；用漂洗液将所述绝缘膜以及所述金属布线洗濯的漂洗处理；将所述绝缘膜以及所述金属布线水洗的第2水洗处理；将所述绝缘膜以及所述金属布线干燥的第2干燥处理。