[发明专利]用于制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200610068071.0 | 申请日： | 2006-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1838400A | 公开（公告）日： | 2006-09-27 |
| 发明（设计）人： | 山本贤一;盛一正成;岛根誉;斉藤和美;富盛浩昭;伊藤孝政;牛岛浩斉;立山克郎 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 关兆辉;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的制造方法，该方法可有效地防止在通孔形成之后由于蚀变层的形成和生长而导致的通路电阻增加，从而提供了可靠性提升的半导体器件。该方法包括：在半导体衬底上形成TiN膜；在TiN膜表面上形成层间绝缘膜；在层间绝缘膜表面上形成抗蚀剂膜；蚀刻其上形成有抗蚀剂膜的半导体衬底以形成开口，由此部分地曝露TiN膜；对TiN膜的曝露部分进行等离子体处理，以去除形成在TiN膜的曝露部分中的蚀变层；以及通过高温等离子体处理剥离抗蚀剂膜。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上形成TiN膜；在所述TiN膜的表面上形成层间绝缘膜；在所述层间绝缘膜表面上形成抗蚀剂膜；利用所述抗蚀剂膜作为掩模蚀刻所述层间绝缘膜以形成开口，从而部分地曝露出所述TiN膜；对所述TiN膜的曝露部分进行等离子体处理，用以去除形成在所述TiN膜的曝露部分中的蚀变层；和通过高温等离子体处理剥离所述抗蚀剂膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
