[发明专利]具有附加ESD注入的横向双极晶体管有效
| 申请号： | 200610068320.6 | 申请日： | 2006-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1855532A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | J·施奈德;M·温德尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/735 | 分类号： | H01L29/735;H01L23/60;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘红;梁永 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 半导体器件(10)包括第一导电类型(例如p型)的半导体体区(12)。第二导电类型(例如n型)的第一掺杂区域(14)布置在半导体体区(12)的上表面。第二导电类型的第二掺杂区域(16)布置在半导体体区(12)的上表面并通过隔离区域(18)与第一掺杂区域(14)分离。第一接触(26)位于第一掺杂区域(14)之上并与之电耦合，第二接触(28)位于第二掺杂区域(16)之上并与之电耦合。第一导电类型的第三掺杂区域(32)布置在第一掺杂区域(14)之下的半导体体区(12)中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 附加 esd 注入 横向 双极晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一导电类型的半导体体区；第二导电类型的第一掺杂区域，布置在半导体体区的上表面，第二导电类型不同于第一导电类型；第二导电类型的第二掺杂区域，布置在半导体体区的上表面；隔离区域，布置在第一掺杂区域和第二掺杂区域之间的半导体体区中；第一接触，位于第一掺杂区域之上并与之电耦合；第二接触，位于第二掺杂区域之上并与之电耦合；和第一导电类型的第三掺杂区域，布置在第一掺杂区域之下的半导体体区内。
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