[发明专利]钼酸碲钡晶体及其制备方法与应用有效
申请号: | 200610069169.8 | 申请日: | 2006-10-17 |
公开(公告)号: | CN1958883A | 公开(公告)日: | 2007-05-09 |
发明(设计)人: | 陶绪堂;张卫国;张承乾;蒋民华 | 申请(专利权)人: | 山东大学 |
主分类号: | C30B29/32 | 分类号: | C30B29/32;C30B11/00;H01S3/16 |
代理公司: | 济南金迪知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王绪银 |
地址: | 250061山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 钼酸碲钡晶体及其制备方法与应用。该晶体化学式为BaTeMo2O9,属于单斜晶系,空间群为P21,采用助熔剂法制备而得。将BaTeMo2O9多晶粉末加入合适的助熔剂体系TeO2-MoO3,MoO3,TeO2,B2O3或PbO-B2O3中,放入白金坩埚中,升温使原料完全熔化,充分混合;然后降温至熔体饱和点,下入籽晶,降温生长可得到长度超过10毫米,厚度超过5毫米,物相单一的非线性光学晶体BTM单晶。该晶体具有极强的倍频效应,红外吸收边大于5000nm,具有很高的稳定性,室温不分解、不潮解等优点;可用于非线性光学和电光及压电领域;本方法操作条件易实现,且原料易得,价格便宜。 | ||
搜索关键词: | 钼酸 晶体 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.钼酸碲钡晶体,化学式为BaTeMo2O9,属于单斜晶系,空间群为P21,可见一近红外透射光谱显示,该晶体在500~4940nm波长范围均能透过,该晶体红外吸收边大于5000nm;在室温下,用Nd:YAG激光器作光源,入射波长为1064nm的红外光,产生532nm绿光。
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