[发明专利]在抗蚀剂剥离室中从衬底上除去抗蚀剂的方法有效
| 申请号： | 200610071039.8 | 申请日： | 2006-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1841214A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 艾瑞克·A·艾迪尔博格;格拉迪丝·S·洛;杰克·K·库 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供在抗蚀剂剥离室中从半导体衬底上剥离抗蚀剂的方法。该方法包括产生包含活性组分的远程等离子体，并且在用活性组分除去抗蚀剂之前在剥离室里面冷却活性组分。活性组分可以通过穿过导热气体分配部件来冷却。通过冷却活性组分，避免了在衬底上的低k介电材料的损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 抗蚀剂 剥离 衬底 除去 方法 | ||
【主权项】：
1.在抗蚀剂剥离室中从半导体衬底上剥离抗蚀剂的方法，包括：在抗蚀剂剥离室中提供半导体衬底，所述半导体衬底包括低k介电材料和覆盖低k介电材料的抗蚀剂层，所述低k介电材料具有热降解温度；由工艺气体产生远程等离子体并且将包含温度高于低k介电材料的热降解温度的活性组分的气体供应到抗蚀剂剥离室中；将等离子体剥离室中的活性组分的温度冷却到低于介电材料的热降解温度；以及用冷却的活性组分从半导体衬底上剥离抗蚀剂层，使得半导体衬底的温度不超过低k介电材料的热降解温度。
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