[发明专利]形成集成功率器件的方法和结构有效
| 申请号： | 200610071047.2 | 申请日： | 2006-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1855490A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 弗兰西恩·Y.·罗伯;斯蒂芬·P.·罗伯;普拉赛德·万卡特拉曼;兹尔·豪森 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/822 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一种实施方式中，在具有其它晶体管的半导体衬底上形成垂直功率晶体管。在垂直功率晶体管下面的一部分半导体被掺杂成为垂直功率晶体管提供低导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 集成 功率 器件 方法 结构 | ||
【主权项】：
1、一种集成功率器件，包括：具有第一表面的第一导电类型的半导体衬底；在半导体衬底第一表面上的外延层，该外延层具有与半导体衬底的第一表面相对的第一表面；在外延层第一表面上形成的垂直功率晶体管，该垂直功率晶体管具有沟道区；以及具有第一导电类型并在外延层内的第一掺杂区，该第一掺杂区在至少一部分垂直功率晶体管的下面，其中第一掺杂区没有延伸到外延层的第一表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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