[发明专利]前体、包含该前体制备的薄层、制备该薄层的方法和相变存储设备无效
| 申请号： | 200610071134.8 | 申请日： | 2006-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN1970564A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 李正贤;姜闰浩 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C07F7/10 | 分类号： | C07F7/10;H01L45/00;H01L27/24;C23C16/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元;赵仁临 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种包含Te、15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的Te前体，一种制备该Te前体的方法，一种包含所述Te前体的含Te的硫族化物薄层，一种制备该薄层的方法，及一种相变存储设备。所述Te前体可以在较低温度下沉积形成掺有15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的含Te的硫族化物薄层。举例来说，在较低沉积温度下，Te前体可以使用等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)或等离子体增强的原子层沉积(PEALD)。使用所述Te前体形成的掺有15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的GST相变层的重置电流可以降低，从而当使用包含它的存储设备时，其集成是可能的，并且更高容量和/或更快速度的操作也是可能的。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 体制 薄层 制备 方法 相变 存储 设备 | ||
【主权项】：
1.一种Te前体，其包含Te、15族化合物和/或14族化合物。
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