[发明专利]半导体存储器无效
| 申请号： | 200610071196.9 | 申请日： | 2006-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN1848458A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | G·魏因;C·路德维希;C·A·克莱因特;J·－U·萨赫泽;M·克劳泽;J·德佩 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王庆海;梁永 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 提供了一种包括半导体衬底(1)和多个存储单元(19)的非易失性存储器(30)和制造这种存储器的方法。每个存储单元(19)包括电荷俘获部件(5)、栅叠层(20)、氮化物隔层(10)和电绝缘部件(21)。电荷俘获部件(5)被布置在半导体衬底(1)上，并包括夹在底部氧化物层(2)和顶部氧化物层(4)之间的氮化物层(3)，电荷俘获部件(5)具有两个彼此相对的横向侧壁(24)。栅叠层(20)被布置在电荷俘获部件(5)的顶部，栅叠层具有两个彼此相对的横向侧壁(25)。电绝缘部件(21)被布置在电荷俘获部件(5)的相对侧壁(24)上，并覆盖了该电荷俘获部件(5)的侧壁(24)。氮化物隔层(10)覆盖了电绝缘部件(21)，并且被布置在栅叠层(20)的相对侧壁上(25)和电绝缘部件(21)上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1、一种非易失性半导体存储器，包括：半导体主体；布置在半导体主体上的电荷俘获部件，该电荷俘获部件包括夹在底部氧化物层和顶部氧化物层之间的氮化物层，该电荷俘获部件具有彼此相对的两个横向侧壁；布置在电荷俘获部件上的栅叠层，该栅叠层具有彼此相对的两个横向侧壁；布置在电荷俘获部件的相对侧壁上并覆盖电荷俘获部件的侧壁的电绝缘部件；以及覆盖电绝缘部件的氮化物隔层，其中该氮化物隔层被布置在栅叠层的相对侧壁上和电绝缘部件上。
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