[发明专利]半导体芯片无效
| 申请号： | 200610071402.6 | 申请日： | 2006-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN1835225A | 公开（公告）日： | 2006-09-20 |
| 发明（设计）人： | 大音光市;宇佐美达矢 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/314;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体芯片(100)包括：未示出的半导体衬底；以及形成在半导体衬底上的层叠膜(150)，其包括诸如第一层间绝缘膜(106)的含碳绝缘膜和诸如底层(102)和顶覆盖膜(124)的无碳绝缘膜。在此，无碳绝缘膜的端面位于含碳绝缘膜的端面的外侧。含碳绝缘膜的碳组分在其端部比在内部低。含碳绝缘膜的膜密度在其端部比在内部高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种半导体芯片，包括：半导体衬底；以及层叠膜，其形成在所述半导体衬底上，包括含碳绝缘膜和无碳绝缘膜，所述无碳绝缘膜的端面位于所述含碳绝缘膜的端面的外侧。
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