[发明专利]图像传感器及其制造方法

摘要

本发明公开了图像传感器和制造图像传感器的方法。所述图像传感器包括具有第一导电类型的半导体基底、具有第二导电类型的深阱。深阱形成于预定深度的半导体基底中以将半导体基底划分为第一导电类型的上部基底区和下部基底区。图像传感器还包括多个集聚对应于入射光的电荷并且包括第一导电类型的离子注入区的单元像素。第一导电类型离子注入区被相互分开。此外，在多个单元像素之中至少一个单元像素还包括位于包含在单元像素区内的第一导电类型离子注入区下面的第一导电类型上部基底区。此外，多个单元像素之中的至少一个单元像素延伸到所述第一导电类型离子注入区之外并且与在多个单元像素的相邻单元像素内包含的第一导电类型离子注入区电隔离。

主权项

1.一种图像传感器，包括：具有第一导电类型的半导体基底；具有第二导电类型的深阱，所述深阱形成在半导体基底中的预定深度，以将所述半导体基底划分为第一导电类型上部基底区和下部基底区；和多个单元像素，集聚对应于入射光的电荷并且包括第一导电类型离子注入区，所述第一导电类型离子注入区被相互分开，在多个单元像素之中至少一个单元像素还包括所述第一导电类型上部基底区，所述上部基底区位于包含在单元像素区内的第一导电类型离子注入区下面，延伸到所述第一导电类型离子注入区之外并且与所述多个单元像素的相邻单元像素内包含的第一导电类型离子注入区电隔离。