[发明专利]评价用晶片,评价方法及半导体装置制作方法无效
| 申请号： | 200610071458.1 | 申请日： | 2006-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN1848397A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | 小国干典 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 杨梧;王景刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及评价用晶片，离子注入量分布评价方法，以及制作半导体装置方法。使用晶片2，在该晶片2的整个主表面，以等密度分布配置多个具有相同的杂质浓度的评价用晶体管形成区域4，在所述晶片2的评价用晶体管形成区域4进行阈值电压控制用杂质注入，作为成为评价对象的杂质注入，在各评价用晶体管形成区域4形成相同结构的评价用晶体管，测定所述评价用晶体管的阈值电压，根据所述评价用晶体管的阈值电压分布，评价所述晶片的主表面内的杂质浓度分布。不限制离子注入量，能详细评价半导体晶片面内的离子注入量分布。 | ||
| 搜索关键词： | 评价 晶片 方法 半导体 装置 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种评价用晶片，包括：一衬底；多个评价用晶体管，形成在所述衬底上，以等密度分布配置在所述晶片的整个面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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