[发明专利]电容结构及其制作方法无效
| 申请号： | 200610071511.8 | 申请日： | 2006-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN101047184A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 蔡明轩 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L27/102;H01L27/02;H01L29/92;H01L21/8242;H01L21/8222;H01L21/82;H01L21/02;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种电容结构，其包括一基底、一第一金属层、一蚀刻终止层、一连接层、一第二金属层与一绝缘层。第一金属层配置于基底中。蚀刻终止层配置于基底上，其中蚀刻终止层具有一开口，此开口暴露出部分第一金属层。连接层配置于开口与部分蚀刻终止层的表面。第二金属层配置于连接层上。绝缘层配置于第二金属层与连接层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种电容结构，包括：基底；第一金属层，配置于该基底中；蚀刻终止层，配置于该基底上，其中该蚀刻终止层具有开口，该开口暴露出部分该第一金属层；连接层，配置于该开口与部分该蚀刻终止层的表面；第二金属层，配置于该连接层上；以及绝缘层，配置于该第二金属层与该连接层之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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