[发明专利]具有长栅极和致密节距的场效应晶体管设计及其制造方法有效
| 申请号： | 200610071516.0 | 申请日： | 2006-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1845337A | 公开（公告）日： | 2006-10-11 |
| 发明（设计）人： | 布伦特·A·安德森;爱德华·J·诺瓦克 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/423;H01L27/092;H01L21/335;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种互补金属氧化物半导体场效应晶体管设计版图及制造方法，该场效应晶体管提供了长栅极和致密节距，其中栅接触直接位于栅极顶部，并使源接触和漏接触形成为与场效应晶体管的有源硅导体区外部的接触焊盘相接触的CA条。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 致密 场效应 晶体管 设计 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有长栅极和致密节距的场效应晶体管，包括：场效应晶体管，包括把源区和漏区分隔开的栅极；栅接触，直接位于该栅极顶部并向下延伸至该栅极；源接触，包括越过源区延伸并延伸到在该场效应晶体管的有源硅导体区外的源接触焊盘的接触条(contact bar)；漏接触，包括越过漏区延伸并延伸到在有源硅导体区外的漏接触焊盘。
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