[发明专利]用于根据位置最小化化学偏移伪影的局部饱和脉冲无效
| 申请号： | 200610071517.5 | 申请日： | 2006-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1862282A | 公开（公告）日： | 2006-11-15 |
| 发明（设计）人： | 尤维·博彻 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | G01R33/54 | 分类号： | G01R33/54 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽;李晓舒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于在磁共振光谱学或磁共振成像中接通局部饱和脉冲的方法，其中在饱和脉冲期间接通磁场梯度，该方法包括步骤：确定检查区域；确定饱和脉冲相对于该检查区域的位置；确定待饱和信号的频谱位置；根据饱和脉冲相对于检查区域的位置以及待饱和信号的频谱位置选择磁场梯度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 根据 位置 最小化 化学 偏移 局部 饱和 脉冲 | ||
【主权项】：
1.一种用于在磁共振光谱学或磁共振成像中接通局部饱和脉冲的方法，其中，在饱和脉冲期间接通磁场梯度，该方法具有以下步骤：-确定检查区域；-确定饱和脉冲相对于该检查区域的位置；-确定待饱和信号的频谱位置；-根据饱和脉冲相对于检查区域的位置以及待饱和信号的频谱位置选择磁场梯度。
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