[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体装置的制造方法。以往的半导体装置的制造方法，在将栅极氧化膜减薄并由DDD结构形成漏极区域时，存在难以谋求将漏极区域的电场缓和的问题。在本发明的半导体装置的制造方法中，在形成作为背栅极区域使用的P型扩散层(7、17)时，使各杂质浓度的峰值错开形成。而且，在背栅极区域，使形成了N型扩散层(25)的区域的浓度分布平缓地形成。而且，在将形成N型扩散层(25)的杂质离子注入之后，进行热处理，由此使N型扩散层(25)在栅极电极(22)下方γ形状地扩散。根据该制造方法，可实现漏极区域的电场缓和。

主权项

1、一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：在半导体层上形成背栅极扩散层，且在所述半导体层上形成栅极氧化膜及栅极电极的工序；在向所述背栅极扩散层离子注入杂质后使其扩散而形成源极扩散层及漏极扩散层的工序，在形成所述漏极扩散层的工序中，所述漏极扩散层相对所述半导体层表面具有倾斜并且该倾斜的切线与所述半导体层表面所成的角度随着接近所述半导体层表面而减小地形成所述漏极扩散层。