[发明专利]半导体激光装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610071540.4 | 申请日： | 2006-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN101047302A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 鹿岛孝之;牧田幸治;吉川兼司 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40;H01S5/22;H01S5/10;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在一种能高功率输出的单片双波长半导体激光装置中，通过共同的步骤为每个激光器单元形成窗口结构，由此提高了该装置的可靠性。该半导体激光装置具有单片集成在n型半导体衬底101上的红外激光器单元110和红色激光器单元120。红外和红色激光器单元110和120的每一个都具有在每个谐振器端面上由Zn扩散形成的脊形波导和窗口结构。红外和红色激光器单元110和120包括在各自波导脊上的p型接触层109和119。p型接触层109薄于p型接触层119。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单片半导体激光装置，包括：放置在单个衬底上的第一半导体激光器单元和第二半导体激光器单元，第一半导体激光器单元可操作用来发射第一波长的光，并且第二半导体激光器单元可操作用来发射第二波长的光，其中，第一和第二半导体激光器单元的每一个都包括双杂型结构，该双杂型结构由以所述的顺序层压的第一传导率类型的披覆层、活性层、第二传导率类型的披覆层和接触层构成，并且第一和第二半导体激光器单元各自接触层的厚度互不相同。
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