[发明专利]判定半导体工艺条件的方法有效
| 申请号： | 200610071587.0 | 申请日： | 2006-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101046636A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 周文湛;于劲;施继雄 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 判断半导体曝光条件的方法，包括提供一具有多个相异线条间距的图形区的光掩模，依据多组设定值相异的工艺参数经由该光掩模对多个晶片曝光，量测各该晶片上的各个图形区的一临界尺寸，并建立该多个图形区的线条间距与相对应的多个临界尺寸的对应关系数据库；经由该光掩模对一预测晶片曝光，以同样方法建立该预测晶片上的一组对应关系；由所建立的该对应关系数据库中，找出一组最近似于该预测晶片所建立的该组对应关系，并依此判断当该预测晶片进行曝光时所使用的该多个工艺参数的设定值。 | ||
| 搜索关键词： | 判定 半导体 工艺 条件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种判断半导体曝光条件的方法，包括：(a)提供一具有多个图形区的光掩模，各该图形区具有多个线条，该多个图形区的线条间距相异；(b)依据多组设定值相异的工艺参数经由该光掩模对多个晶片曝光，以于各该晶片上形成多个线条间距相异的图形区；(c)量测各该晶片上的各个图形区的一临界尺寸；(d)建立该多个晶片上的多个图形区的线条间距与相对应的多个临界尺寸的多组对应关系，各该晶片上的多个图形区的线条间距与相对应的多个临界尺寸是建立有一组对应关系；(e)经由该光掩模对一预测晶片曝光，以于该预测晶片上形成多个线条间距相异的图形区；(f)量测该预测晶片上的各该图形区的一临界尺寸；(g)建立该预测晶片上的该多个图形区的线条间距与相对应的多个临界尺寸的一组对应关系；(h)由步骤(d)所建立的该多组对应关系中，找出一组对应关系，其是最近似于步骤(g)所建立的该组对应关系；以及(i)依据步骤(h)所找出的该组对应关系，判断当该预测晶片进行曝光时所使用的该多个工艺参数的设定值。
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