[发明专利]电容结构有效
| 申请号： | 200610071590.2 | 申请日： | 2006-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101047063A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 卓威明;陈昌升;赖颖俊;徐钦山 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01G4/005 | 分类号： | H01G4/005;H01G4/38;H05K1/16;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一电容结构，采用交错耦合状的设计，达到导线或是电极板间可以使一电极上下左右与另一电极互相耦合，达到最小面积最高电容值的效果，且采用的导孔数少，此电容在最小面积上有最大的电容值。应用在高频高速模块或系统中可以提升电容性基板噪声抑制能力。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 结构 | ||
【主权项】：
1.一种电容结构，包含：一介电材料层；一第一电极与一第二电极，该介电材料层位于该第一电极与第二电极之间，其中，该第一电极包括相连接之一第一电极层与一第二电极层，而该第二电极包括相连接之一第三电极层与一第四电极层，其中该第一电极层与第三电极层位于一第一平面上，而该第二电极层与第四电极层位于一第二平面上，其中该第一平面平行于该第二平面，该第一电极层之下方为该第四电极层，而该第三电极层之下方为该第二电极层。
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