[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置

摘要

提供一种半导体装置的制造方法和根据该制造方法而得到的半导体装置，其中，半导体装置的制造方法，具备：第1工序，对形成在基板上的结晶性半导体膜3之中除了第1部分以外的至少第2部分及第3部分注入杂质；第2工序，在第2部分及第3部分分别形成源极及漏极。在第2工序中，通过至少对第2部分及第3部分实施加热处理，引诱以第1部分的至少一部分作为籽晶的第2部分及第3部分的固相外延过程。因此得到良好的电特性的晶体管，可以实现半导体装置的微细化或高密度化，进一步实现三维重叠。

主权项

1、一种半导体装置的制造方法，其中具备：第1工序，对形成在基体上的结晶性半导体膜之中除了与所述基体相接的第1部分以外的至少第2部分及第3部分注入杂质；和第2工序，在所述第2部分及所述第3部分分别形成源极及漏极；所述第1工序还包括将构成所述结晶性半导体膜的材料沉积在所述基体上的第1副工序；所述第2工序还包括至少对所述第2部分及所述第3部分进行加热的第2副工序。