[发明专利]固体摄像元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610071669.5 | 申请日： | 2006-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1855520A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 山口铁也;后藤浩成;山下浩史;井原久典;井上郁子;田中长孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/822 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 黄剑锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种固体摄像元件，包括：半导体衬底，该半导体衬底具有包含P型杂质的衬底本体和设在该衬底本体上的包含N型杂质的第一N型半导体层，并且，在该第一N型半导体层的上述衬底本体侧设置有包含上述P型杂质的第一P型半导体层；多个光电转换部，这些光电转换部包括在上述第一N型半导体层的表层部彼此独立地在多个位置设置的第二N型半导体层；以及多个第二P型半导体层，这些第二P型半导体层分别包围上述各光电转换部，并沿着在上述第一N型半导体层的表层部的多个位置设置的元件隔离区域，从上述第一N型半导体层的表层部直到上述第一P型半导体层的表层部连续地设置。 | ||
| 搜索关键词： | 固体 摄像 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种固体摄像元件，其特征在于，包括：半导体衬底，该半导体衬底具有包含P型杂质的衬底本体和设在该衬底本体上的包含N型杂质的第一N型半导体层，并且，在该第一N型半导体层的上述衬底本体侧设置有包含上述P型杂质的第一P型半导体层；多个光电转换部，这些光电转换部包括在上述第一N型半导体层的表层部彼此独立地在多个位置设置的第二N型半导体层；以及多个第二P型半导体层，这些第二P型半导体层分别包围上述各光电转换部，并沿着在上述第一N型半导体层的表层部的多个位置设置的元件隔离区域，从上述第一N型半导体层的表层部直到上述第一P型半导体层的表层部连续地设置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
