[发明专利]使用基于钽合金的溅射靶的增强晶种层的淀积

摘要

用于磁性记录介质的晶种层，通过含钽(Ta)和成合金元素的溅射靶在衬底上形成该晶种层。体心立方钽(Ta)相中成合金元素的室温溶解度不超过10原子百分数，且成合金元素的质磁率小于或等于1.5×10^－7m³/kg。或者，成合金元素在室温或高温下溶于钽(Ta)，成合金元素的质磁率小于或等于1.5×10^－7m³/kg，且成合金元素的原子半径小于1.47。再或者，体心立方钽(Ta)相中成合金元素的室温溶解度不超过10原子百分数，成合金元素的质磁率小于或等于1.5×10^－7m³/kg，成合金元素在高于室温的温度下溶于钽(Ta)，且成合金元素的原子半径小于1.47。

主权项

1.一种磁性记录介质，包括：衬底；淀积于所述衬底上的晶种层，所述晶种层含钽(Ta)和成合金元素；淀积于所述晶种层上的底层；和淀积于所述底层上的磁性数据存储粒层，其中体心立方钽(Ta)相中成合金元素的室温溶解度不超过10原子百分数，和其中成合金元素的质磁率小于或等于1.5×10-7m3/kg。