[发明专利]具有圆形形状的纳米线晶体管沟道的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610071765.X | 申请日： | 2006-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN1855390A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 李成泳;申东石 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/772 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种具有圆形形状的纳米线沟道的场效应晶体管(FET)及制造该FET的方法。根据该方法，在半导体衬底上形成源区和漏区。在该源区和漏区之间耦合多个初步沟道区。该初步沟道区被刻蚀，以及该刻蚀的初步沟道区被退火，以形成FET沟道区，该FET沟道区具有基本上圆形的截面形状。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 圆形 形状 纳米 晶体管 沟道 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造场效应晶体管(FET)的方法，包括：在半导体衬底上形成源区和漏区；形成在源区和漏区之间耦合的多个初步沟道区；刻蚀该初步沟道区；以及退火该刻蚀的初步沟道区，以形成FET沟道区，该FET沟道区具有基本上圆形的截面形状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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