[发明专利]半导体器件的回流装置、回流方法以及制造方法无效
| 申请号： | 200610071804.6 | 申请日： | 2006-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN1958207A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | 松井弘之;松木浩久;大竹幸喜 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | B23K3/00 | 分类号： | B23K3/00;B23K3/08;B23K35/38;B23K1/00;H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王玉双;高龙鑫 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开一种回流装置，在该回流装置中使用蚁酸清洗处理物上的焊料电极的表面。该回流装置包括：处理室；蚁酸导入装置，用于将包含蚁酸的氛围气体提供给处理室；以及防护构件，其由对蚁酸具有耐蚀性的材料制成。该防护构件设置在处理室的回流处理部分与处理室的内壁之间。替代或除防护构件之外，回流装置可以包括用于分解残留蚁酸的加热器。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 回流 装置 方法 以及 制造 | ||
【主权项】：
1、一种回流装置，用于对处理物上形成的焊料构件进行回流处理，该回流装置包括：处理室；蚁酸导入机构，其用于将包含蚁酸的氛围气体提供给该处理室；以及防护构件，其由对蚁酸具有耐蚀性的材料制成，该防护构件设置在该处理室的回流处理部分与该处理室的内壁之间。
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