[发明专利]具有改进程序运作性能的闪存装置的页缓冲器及控制方法无效
| 申请号： | 200610071821.X | 申请日： | 2006-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN1841561A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 成镇溶 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 蒲迈文;黄小临 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种闪存装置的页缓冲器，其具有一改进程序运作性能的页缓冲器及其程序运作控制方法。该页缓冲器具有一具有一多级单元(MLC)的闪存装置。该页缓冲器将输入数据储存于一高位寄存器中，具有与所述输入数据的值相同的值的初始数据储存于一低位寄存器中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 程序 运作 性能 闪存 装置 缓冲器 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器装置，其包含：一存储器单元阵列，其具有多个多级单元，每一多级单元被构成为储存数据的至少第一及第二位；一页缓冲器，其经由至少第一及第二位线耦接至该存储器单元阵列，该页缓冲器包括：一位线选择单元，其被构成为选择该第一位线与该第二位线中的一个，和响应于位线选择信号及放电信号将该所选择的位线连接至一感测节点；一高位寄存器，其被构成为储存高位感测数据及该感测节点的一电压电平，且响应于一高位读取信号输出第一高位输出数据，或储存经由一数据I/O端子接收的第一或第二输入数据，或响应数据输入信号输出第二高位输出数据；和一低位寄存器，其被构成为储存低位感测数据，且响应于一低位读取信号及该感测节点的该电压电平输出第一低位输出数据，或储存经由一锁存初始化电路接收的第一或第二初始数据，或响应于所述数据输入信号输出第二低位输出数据。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司，未经海力士半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610071821.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
