[发明专利]薄膜晶体管以及制造薄膜晶体管基板的方法

摘要

本发明提供一种能够增大ON电流值且降低OFF电流值的薄膜晶体管(TFT)、具有该多晶硅TFT的TFT基板、制造该多晶硅TFT的方法、以及制造具有该多晶硅TFT的TFT基板的方法。该多晶硅TFT基板包括定义象素区域的栅极线和数据线、形成在该象素区域中的象素电极、以及TFT，该TFT包括栅极电极、源极电极、漏极电极、以及多晶硅有源层。该多晶硅有源层包括该栅极电极叠置在其上的沟道区域、分别连接至该源极和漏极电极的源极和漏极区域、以及分别形成在该源极区域与该沟道区域之间以及在该漏极区域与该沟道区域之间的至少两个轻掺杂漏极(LDD)区域，该LDD区域具有彼此不同的杂质浓度。

主权项

1.一种薄膜晶体管基板，包括：栅极线和数据线，其定义象素区域；象素电极，其形成在该象素区域中；以及薄膜晶体管，其包括连接至该栅极线的栅极电极、连接至该数据线的源极电极、连接至该象素电极的漏极电极、以及定义该源极电极与该漏极电极之间的沟道的多晶硅有源层，其中该多晶硅有源层包括：沟道区域，其上叠置所述栅极电极；源极和漏极区域，其分别连接至所述源极和漏极电极；以及至少两个轻掺杂漏极(LDD)区域，其形成在该源极区域与该沟道区域之间以及该漏极区域与该沟道区域之间，该轻掺杂漏极区域具有彼此不同的杂质浓度。