[发明专利]半导体器件制造方法以及半导体器件有效
| 申请号： | 200610071837.0 | 申请日： | 2006-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN1835196A | 公开（公告）日： | 2006-09-20 |
| 发明（设计）人： | 中村猛利;齐藤博 | 申请（专利权）人： | 雅马哈株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件制造方法，其包括以下步骤：制备晶片，在该晶片的主面上形成有多个集成电路；形成经由焊盘电极电连接到所述集成电路的再布线；以及，在所述再布线上形成电极端子之后，切划所述晶片，包括以下步骤：通过用第一树脂至少密封形成在所述晶片的主面上的所述再布线和所述电极端子来形成第一树脂层；在形成所述第一树脂层时，从所述晶片的背面到所述晶片的主面或者到所述第一树脂层的中间位置处进行第一划片；通过用第二树脂连续地密封在所述第一划片时形成轮廓的切割线以及所述晶片的背面来形成第二树脂层；以及，进行第二划片，同时保留覆盖所述第一划片时形成轮廓的侧面的第二树脂层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件制造方法，包括以下步骤：制备晶片，在该晶片的主面上形成有多个集成电路；形成经由焊盘电极电连接到所述集成电路的再布线；在所述再布线上形成电极端子；通过用第一树脂至少密封形成在所述晶片的主面上的再布线和电极端子来形成第一树脂层；在形成所述第一树脂层时，从所述晶片的背面一侧到所述晶片的主面或者到所述第一树脂层的中间位置处进行第一划片；通过用第二树脂连续地密封在所述第一划片时形成轮廓的切割线以及所述晶片的背面来形成第二树脂层；以及进行第二划片，同时保留覆盖所述第一划片时形成轮廓的侧面的第二树脂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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