[发明专利]电荷俘获存储器件的制造方法无效
| 申请号： | 200610071967.4 | 申请日： | 2006-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1855444A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | G·魏因;M·克劳泽;J·－U·萨赫泽;J·－M·施利;M·伊斯勒;C·路德维希;J·德佩;S·马希尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘红;魏军 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 字线叠层表面和主衬底表面的中间区域被氮氧化物内衬覆盖。要么形成BPSG侧壁隔板，要么沉积另一氮化物内衬并形成氧化物隔板。这些隔板在寻址电路的外围区域中使用以注入掺杂的源极/漏极区域。氮氧化物减小了氮化物和半导体材料之间的应力并防止电荷载流子从氮化物的存储层穿透到内衬。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷 俘获 存储 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.制作电荷俘获存储器件的方法，包括：提供具有主表面的半导体体区或衬底；施加用于电荷俘获的电介质材料的存储层序列；在存储单元阵列区域中形成字线叠层和在寻址电路的外围区域中形成栅电极；在与所述字线叠层自对准的所述存储单元的所述区域中注入源极/漏极区域；施加氮氧化物内衬；在所述外围区域中形成侧壁隔板；使用所述侧壁隔板作为掩模，以在所述外围区域中注入源极/漏极区域；用电介质材料填充所述字线叠层和所述栅电极之间的间隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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