[发明专利]光刻胶稀释剂的制造方法无效

专利信息
申请号: 200610072413.6 申请日: 2006-04-11
公开(公告)号: CN1828430A 公开(公告)日: 2006-09-06
发明(设计)人: 周立苍;陈一诚 申请(专利权)人: 广辉电子股份有限公司
主分类号: G03F7/42 分类号: G03F7/42
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 黄健
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种光刻胶稀释剂的制造方法,包括:提供光刻胶材料与第一光刻胶稀释剂,且该第一光刻胶稀释剂适于稀释此光刻胶材料;所述第一光刻胶稀释剂包含分别具有第一韩森参数的多种第一溶剂,且各第一溶剂分别具有第一韩森参数,而光刻胶材料具有第二韩森参数;以第一韩森参数定义出第一区域;依第一溶剂的第一韩森参数选出多种第二溶剂,其中各第二溶剂分别具有第三韩森参数,并对应于第一溶剂其中之一;混合第二溶剂形成第二光刻胶稀释剂,且第二光刻胶稀释剂具有第四韩森参数,其位于第一区域内。因此,按照本发明方法制造的光刻胶稀释剂的成本能够降低。
搜索关键词: 光刻 稀释剂 制造 方法
【主权项】:
1.一种光刻胶稀释剂的制造方法,包括:提供一光刻胶材料与第一光刻胶稀释剂,其中所述第一光刻胶稀释剂适于稀释所述光刻胶材料,所述第一光刻胶稀释剂包含多种第一溶剂,且各第一溶剂分别具有第一韩森参数,而所述光刻胶材料具有第二韩森参数;以所述第一韩森参数定义出第一区域;依据所述第一溶剂的第一韩森参数,选择出多种对应的第二溶剂,其中各第二溶剂分别具有第三韩森参数,并对应于所述第一溶剂其中之一;以及混合所述第二溶剂形成第二光刻胶稀释剂,且该第二光刻胶稀释剂具有第四韩森参数,其位于第一区域内。
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