[发明专利]用于利用栅阶梯化非对称凹陷制作半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200610072428.2 | 申请日： | 2006-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN1893022A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 金承范;金宰永 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种用于利用栅阶梯化非对称凹陷制作半导体器件的方法。所述方法包括：将有机底抗反射涂(BARC)层形成在衬底之上；将图案化掩模形成在有机BARC层之上，该图案化掩模暴露出有机BARC层的所选部分；使用对衬底具有高选择性的蚀刻气体来蚀刻有机BARC层的暴露部分，直到在有机BARC层的暴露部分之下的衬底基本暴露；蚀刻衬底的暴露部分以形成多个凹陷有源区；去除掩模和有机BARC层以暴露由凹陷有源区限定的多个突起有源区；将栅绝缘层形成在凹陷有源区和突起有源区之上；以及将非对称阶梯结构的栅形成在栅绝缘层之上，每个栅在对应的凹陷有源区和对应的突起有源区之上延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 利用 阶梯 对称 凹陷 制作 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制作半导体器件的方法，所述方法包括：将有机底抗反射涂(BARC)层形成在衬底之上；将图案化掩模形成在所述有机BARC层之上，所述图案化掩模暴露出所述有机BARC层的所选部分；使用对所述衬底具有高选择性的蚀刻气体来蚀刻所述有机BARC层的暴露部分，直到在所述有机BARC层的暴露部分之下的衬底基本暴露；蚀刻所述衬底的暴露部分以形成多个凹陷有源区；去除所述掩模和所述有机BARC层以暴露由所述凹陷有源区限定的多个突起有源区；将栅绝缘层形成在所述凹陷有源区和所述突起有源区之上；以及将非对称阶梯结构的栅形成在所述栅绝缘层之上，每个栅在对应的凹陷有源区和对应的突起有源区之上延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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