[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200610072572.6 | 申请日： | 2006-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN1845340A | 公开（公告）日： | 2006-10-11 |
| 发明（设计）人： | 蔡基成;朴美暻 | 申请（专利权）人： | LG.菲利浦LCD株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 薄膜晶体管及其制造方法。薄膜晶体管包括：位于基板上的包括多个同轴硅纳米线的多同轴硅纳米线单元，该多同轴硅纳米线单元包括中央部分和该中央部分的端部；位于中央部分上的栅极；以及按电连接到多同轴硅纳米线单元的方式分别位于相应的端部上的源极和漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管，其包括：位于基板上的包括多个同轴硅纳米线的多同轴硅纳米线单元，该多同轴硅纳米线单元包括中央部分和该中央部分的端部；位于所述中央部分上的栅极；以及按电连接到所述多同轴硅纳米线单元的方式位于相应的端部上的源极和漏极。
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