[发明专利]一种单根纳米线或阵列式纳米线的生长制备方法无效
| 申请号： | 200610072720.4 | 申请日： | 2006-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN101049905A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | 张谢群;瑞哈娜;姜丽仙;莎麦拉;韩宇男;韩秀峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高存秀 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单根纳米线或阵列式纳米线的生长制备方法，其为将模板法和微加工技术结合起来，先制备母板，然后通过电化学氧化法，在铝或铝合金表面形成具有各种孔径及孔深的氧化铝母板；然后利用微加工技术将所需位置的障壁层刻透，形成所需形状、大小、位置的纳米通道；最后按照常规的薄膜制备方法，向纳米通道内填充或沉积各种材料，得到单根纳米线或纳米线点阵。该方法可以制得直径1～1000nm，长度0.1nm～100μm的纳米线。本发明的优异之处在于可精确控制单根纳米线或纳米线点阵数量、大小、形状、空间分布，从而实现纳米线和纳米点用于实际纳米器件和高密度垂直磁记录介质时性能的可控调制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 阵列 生长 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种单根纳米线或阵列式纳米线的生长制备方法，其为将模板法和微加工技术结合起来，形成所需形状、大小、位置的纳米通道，然后在纳米通道内生长单根纳米线或阵列式纳米线点阵。
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