[发明专利]用于利用超导磁体设置传感器反铁磁的方法和设备无效

专利信息
申请号: 200610073269.8 申请日: 2006-04-06
公开(公告)号: CN1877701A 公开(公告)日: 2006-12-13
发明(设计)人: 李文扬;李晋山 申请(专利权)人: 日立环球储存科技荷兰有限公司
主分类号: G11B5/39 分类号: G11B5/39;H01F13/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 李晓舒;魏晓刚
地址: 荷兰阿*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 发明涉及利用水平设置的超导磁设备构造磁致电阻传感器的方法。该超导磁设备能产生持续时段的很高磁场从而有效地设置具有很高钉扎场的磁致电阻传感器的磁化。该超导磁设备具有被超导线圈围绕的陶瓷管。该管具有水平取向的纵轴,从而提供很多重要的优点,诸如:便于该设备内含有传感器的晶片的操纵;便于将晶片装载到该设备中;防止退火期间该晶片内的温度和磁场的梯度;以及通过限制该设备的高度便于该设备的维护和存放。
搜索关键词: 用于 利用 超导 磁体 设置 传感器 反铁磁 方法 设备
【主权项】:
1.一种超导磁体设备,包括:陶瓷管,其具有纵轴,该纵轴基本水平地取向;磁体,其围绕至少部分所述陶瓷管,该磁体包括由电超导材料构成的线圈;加热元件,其接触所述陶瓷管的表面;浅盘,其用于保持晶片;以及支承结构,其用于保持所述浅盘在所述管内。
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