[发明专利]电光显示装置及其制造方法

摘要

本发明提供简化TFT结构部的制造工序，同时不限定源/漏电极材质，并准确控制成为TFT沟道部的半导体层膜厚，并防止显示不匀的电光显示装置。漏电极(26)配置成从活性区层(AR)上开始延伸至像素电极(30)下方的透明绝缘性衬底(1)上方。源电极(24)及源极布线(25)配置成使其端面位于相对半导体膜(6)任意端面均退后的位置，活性区层(AR)上的漏电极(26)端面也配置成位于相对半导体膜(6)的具有大致平行关系的端面退后的位置。

主权项

1.一种电光显示装置，其中包括有源矩阵衬底，所述有源矩阵衬底包括：绝缘性衬底，在所述绝缘性衬底上阵列状配置并设有与薄膜晶体管电连接的像素电极的多个显示像素，将所述薄膜晶体管依次扫描选择的栅极布线，以及向所述像素电极供给电信号的源极布线，且俯视所述栅极布线与所述源极布线呈正交的矩阵状；所述薄膜晶体管设有从配置在所述源极布线下层的半导体膜分支的活性区层，以及在所述活性区层上隔着间隔有选择地配置的源电极和漏电极，在所述活性区层上，至少所述源电极配置成使其端面位置相对所述活性区层任意端面位置退后预定距离以上，所述漏电极从所述活性区层上延伸到像素显示区的所述绝缘性衬底上方地配置，所述像素显示区中的所述漏电极下层不设有所述活性区层。