[发明专利]存储器阵列的接触方案及其制造方法

摘要

描述了一种制造存储装置的方法和一种存储装置。在一个实施例中，描述了一种制造存储装置的方法。该方法包括提供衬底，该衬底具有在主表面淀积的隧道层和在隧道层上沿第一方向分布的第一导线。在第一导线上淀积一层电介质材料。淀积控制栅层。图形化第一导线以制造栅叠层。在栅叠层之间淀积电介质材料。部分地去除栅叠层以暴露将被制作的选择晶体管线的区域中的浮栅电极，制成沿第二方向分布的选择晶体管线凹槽。用导电材料填充选择晶体管线凹槽以制成选择晶体管线。

主权项

1.一种制造存储装置的方法，包括：提供衬底，该衬底具有在其主表面淀积的隧道层，并具有布置在所述隧道层上的沿第一方向分布的第一导线；在所述第一导线上淀积一层电介质材料；淀积控制栅层；将所述第一导线图形化以制造栅叠层；在所述栅叠层之间淀积电介质材料；部分去除所述栅叠层以暴露将被制作的选择晶体管线区域中的浮栅电极，制成沿第二方向分布的选择晶体管线凹槽；以及用导电材料填充所述选择晶体管线凹槽以制成所述选择晶体管线。