[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200610073541.2 | 申请日： | 2006-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN1855530A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 天清宗山;志贺俊彦;国井彻郎;奥友希 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/43 | 分类号： | H01L29/43 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 温大鹏;廖凌玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提高肖特基电极的耐湿性而得到半导体装置。肖特基电极即栅电极(8)包括TaNx层(6)和Au层(7)。TaNx层(6)为了防止Au层(7)和基板(100)之间的原子扩散，起势垒金属的作用。TaNx不含Si，所以比含有Si的WSiN的耐湿性高。因此栅电极(8)与具有WSiN层的以往的栅电极相比耐湿性高。另外，设定氮含有率x小于0.8，与以往的栅电极相比可以避免肖特基特性的大幅度降低。或者氮含有率x在小于0.5的范围之内，与以往的栅电极相比能够提高肖特基特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括具有以GaAs为主材料的化合物半导体层的基板、和在上述化合物半导体层上形成的电极，上述电极具有与上述化合物半导体层接触的TaNx层，氮含有率x＜0.8。
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