[发明专利]非易失性存储器件及相关器件的制造方法无效
| 申请号： | 200610073587.4 | 申请日： | 2006-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN1855445A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 崔正达;辛允承;薛钟善 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了制造非易失性存储器件的方法。在衬底上形成隔离层。衬底具有存储区和阱接触区，以及隔离层限定衬底的有源区。在有源区上形成栅绝缘层。构图栅绝缘层以在其中限定开口。该开口露出至少部分衬底的阱接触区，并用作在隔离层随后的蚀刻期间所生成电荷的电荷路径。还提供了相关的存储器件。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 相关 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造非易失性存储器件的方法，该方法包括：在衬底上形成隔离层，该衬底具有存储区和阱接触区，以及隔离层限定衬底的有源区；在有源区上形成栅绝缘层；以及构图栅绝缘层以在其中限定开口，该开口露出衬底的至少部分阱接触区，并用作在隔离层随后的蚀刻期间所生成电荷的电荷路径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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