[发明专利]沉积无裂缝、耐腐蚀和硬的铬层及铬合金层的方法无效
| 申请号： | 200610073589.3 | 申请日： | 2006-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN1982507A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 赫尔穆特·赫斯特姆克;马蒂亚斯·本特勒 | 申请（专利权）人： | 恩通公司 |
| 主分类号： | C25D3/10 | 分类号： | C25D3/10;C25D5/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林潮;樊卫民 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及在基底上由含铬电解质沉积功能性铬层的方法以及电解质组合物。根据本发明的电解质组合物包括磺基醋酸。能够以约20至约150A/dm2的电流密度和以高于30％的电流效率来实施根据本发明的方法，其中所沉积的层的硬度大于800HV 0.1，耐腐蚀性大于200小时。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 裂缝 腐蚀 合金 方法 | ||
【主权项】：
1.在基底上沉积铬层或铬合金层的方法，其中使基底与电解质组合物接触以进行沉积，该电解质组合物包括至少一种无机酸或无机酸盐、铬化合物、卤氧化合物、磺酸以及磺基醋酸和/或它的盐和/或产生磺基醋酸的反应物。
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