[发明专利]用于凹陷沟道阵列晶体管的制造方法和对应的凹陷沟道阵列晶体管

摘要

本发明涉及用于凹陷沟道阵列晶体管的制造方法和对应的凹陷沟道阵列晶体管。在一个实施例中，本发明在衬底表面上使用自调整隔板以在栅极和源极区/漏极区之间提供所需的距离。这样，关于栅极触点平面内的平版印刷术的公差的要求减小。

主权项

1.一种用于凹陷沟道阵列晶体管的制造方法，包括：提供第一导电型的半导体衬底，至少在垂直于凹陷沟道阵列晶体管的电流方向上具有与用于凹陷沟道阵列晶体管的形成区域相邻的绝缘沟槽，所述绝缘沟槽填充有绝缘材料；在半导体衬底的表面上形成牺牲层；提供在第一方向上延伸并在形成区域的一部分内暴露至少所述衬底的牺牲层开口；使用牺牲层开口作为掩模开口在衬底中蚀刻沟槽，所述沟槽在至少第二绝缘沟槽之间在第一方向上延伸；可选地蚀刻绝缘沟槽，用于在第一方向上使得沟槽变宽，并用于在绝缘沟槽内提供与所述衬底相邻并在沟槽的底部之下延伸的钻蚀区域；在沟槽内的衬底上形成栅极介电层；在栅极介电层上、沟槽内提供栅极电极，所述栅极电极延伸到与牺牲层相同的上表面；移除牺牲层；沿着衬底上的栅极电极形成自调整第一绝缘隔板；和通过将第二导电型的杂质使用第一隔板作为掩模引入至形成区域内的衬底的被暴露的部分而形成源极区和漏极区。