[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610073629.4 | 申请日： | 2006-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN1866505A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | 仓谷英敏;新川秀之;英贺文昭 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/29;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 岳耀锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置及其制造方法，可防止键合丝之间的电气短路或者凸块电极剥落，并且可稳定地制造。该半导体装置具有：带有焊盘的芯片；在焊盘上所形成的凸块电极；针脚键合在凸块电极上的键合丝，其中，键合丝满足(弹性系数/每单位面积的断裂强度)≥400的条件。另外，还具有用于密封芯片、凸块电极以及键合丝的密封树脂，优选为密封树脂的螺旋流动性大于等于110cm并且粘度小于10Pa·S。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其特征在于，具有：带有焊盘的芯片；在上述焊盘上所形成的凸块电极；以及针脚键合在上述凸块电极上的键合丝，其中，上述键合丝满足(弹性系数/每单位面积的断裂强度)≥400的条件。
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