[发明专利]薄膜磁头无效
| 申请号： | 200610073681.X | 申请日： | 2004-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN1841505A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 矢泽久幸 | 申请（专利权）人： | 阿尔卑斯电气株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/33 | 分类号： | G11B5/33 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种具有薄膜结构体的薄膜磁头，该薄膜结构体，在上层部(86)，侧边缘部(86a)比基底部(81)的侧边缘部(81b)向外侧伸出而形成延出部(86b)，线圈绝缘层(绝缘层)(57)也存在延出部(86b)的下方。由于在突起部(87)的延出部(86b)的下方也存在线圈绝缘层(绝缘层)(57)，所以突起部(87)的周围的机械强度提高。从而，在保护层(绝缘层)(61)不易生成裂纹，而提高导通连接结构的耐蚀性。因此，这种薄膜结构体，机械强度高，并能够用于导通连接。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 磁头 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜磁头，具有第1薄膜结构体与第2薄膜结构体，其中：上述第1薄膜结构体，在第1导电层上方层叠有导电性的第1突起部，利用形成在上述第1导电层上的绝缘层围住上述第1突起部的周围，上述第1突起部具有与上述第1导电层连接的第1基底部和层叠在该第1基底部上的第1上层部，上述第1上层部的、与膜厚度方向垂直的剖面的面积，越向上述第1上层部的上方越逐渐减小，而且，在上述第1上层部上，侧边缘部比上述第1基底部的侧边缘部向外侧伸出而形成第1延出部，上述绝缘层，在上述第1基底部的整个周围，也存在于上述第1延出部的下方，上述绝缘层与上述第1基底层的侧边缘部相接，在上述第1导电层的侧方、且上述第1突起部的上述第1延出部的下方设有导线层，该导线层的一端与上述第2薄膜结构体相连接。
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