[发明专利]包括除去光刻胶的等离子体灰化处理的形成半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200610073696.6 | 申请日： | 2006-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN1855367A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 大内雅彦 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/8242;G03F7/36 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种在DRAM装置中形成具有金属氮化物底电极，电容器绝缘膜和上电极的圆柱形电容器的方法包括以下步骤：在圆柱孔中的底电极上形成光刻胶膜，通过使用无氧气体的等离子体灰化处理除去光刻胶膜，和在底电极上连续地形成绝缘膜和上电极。等离子体灰化处理采用将等离子体气体加速到圆柱形沟槽中的偏压。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 除去 光刻 等离子体 灰化 处理 形成 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：在半导体衬底的表面上形成绝缘膜；在所述的绝缘膜中形成沟槽；在包括所述的沟槽表面的所述绝缘膜上形成金属氮化物膜；至少在所述金属氮化物膜上的所述沟槽内形成光刻胶膜；除去所述的绝缘膜上的部分所述金属氮化物膜；和通过使用无氧气体的等离子体的等离子体增强灰化处理，除去所述的光刻胶膜，所述的非氧气体中不包括氧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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