[发明专利]电光显示装置及其制造方法有效
申请号: | 200610073741.8 | 申请日: | 2006-04-03 |
公开(公告)号: | CN1885549A | 公开(公告)日: | 2006-12-27 |
发明(设计)人: | 荒木利夫 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1368 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨凯;刘宗杰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供防止上层像素电极和下层TFT漏电极之间断线引起的点缺陷的电光显示装置及其制造方法。像素电极(16)配置成覆盖贯通第三绝缘膜(12)及第二绝缘膜(11)达到漏电极(9)上面的像素漏极接触孔(CH)内壁,在像素漏极接触孔(CH)底部,经由接触导电膜(15)电连接到漏电极(9)。像素漏极接触孔(CH)将贯通第二绝缘膜(11)的接触孔(13)和贯通第三绝缘膜(12)的接触孔(14)连通而构成,接触孔(14)的内壁不陡地倾斜而剖面呈研钵状,使得开口端尺寸大于其底部尺寸。 | ||
搜索关键词: | 电光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种电光显示装置,具备有源矩阵衬底,该有源矩阵衬底包括绝缘性衬底,以及在所述绝缘性衬底上矩阵状设置,并分别设有与薄膜晶体管电连接的像素电极的多个显示像素,其中,所述有源矩阵衬底中设有:覆盖包括所述薄膜晶体管的漏电极上面在内的所述绝缘性衬底整个上面的无机类绝缘膜;覆盖所述无机类绝缘膜整个上面的有机类树脂绝缘膜;贯通所述无机类绝缘膜和所述有机类树脂绝缘膜达到所述漏电极的像素漏极接触孔;以及设于所述像素漏极接触孔底部,并与所述漏电极接触的接触导电膜,所述像素电极配置成覆盖所述有机类树脂绝缘膜的同时,覆盖所述像素漏极接触孔内壁及所述接触导电膜上面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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