[发明专利]电平转移电路

摘要

本发明的目的是提供一种通过防止在转换信号的电平时产生的贯穿电流来实现低耗电量的电平转移电路。本发明的技术方案的要点在于；使p沟道型TFT、n沟道型TFT或p沟道型TFT、n沟道型TFT不同时开通地来控制p沟道型TFT，以便防止在转换输入的信号的电平时贯穿电流流过。在高电平信号输入于n沟道型TFT的栅极且n沟道型TFT开通的瞬时，使p沟道型TFT关断。同样地，在n沟道型TFT开通的瞬时，使p沟道型TFT关断。通过不同时使p沟道型TFT、n沟道型TFT或p沟道型TFT、n沟道型TFT开通，来遮断贯穿电流流过的通路。

主权项

1.一种电平转移电路，包括：第一电源；施加比所述第一电源更低电势的第二电源；第一p沟道型晶体管；第二p沟道型晶体管；第三p沟道型晶体管；第四p沟道型晶体管；第一n沟道型晶体管；第二n沟道型晶体管；将信号输入到所述第二p沟道型晶体管的栅极的第一输入单元；以及将信号输入到所述第四p沟道型晶体管的栅极的第二输入单元，其中，所述第一输入单元和所述第二输入单元分别输出与输入到所述第一n沟道型晶体管的栅极或所述第二n沟道型晶体管的栅极的信号不同的信号，并且，所述第一p沟道型晶体管的源极和漏极分别连接于所述第一电源和所述第二p沟道型晶体管的源极，并且，所述第二p沟道型晶体管的漏极连接于所述第三p沟道型晶体管的栅极以及所述第一n沟道型晶体管的漏极，并且，所述第一n沟道型晶体管的源极连接于所述第二电源，并且，所述第三p沟道型晶体管的源极和漏极分别连接于所述第一电源和所述第四p沟道型晶体管的源极，并且，所述第四p沟道型晶体管的漏极连接于所述第一p沟道型晶体管的栅极以及所述第二n沟道型晶体管的漏极，以及，所述第二n沟道型晶体管的源极连接于所述第二电源。