[发明专利]薄膜晶体管、平板显示装置及其制备方法有效
申请号: | 200610073815.8 | 申请日: | 2006-03-30 |
公开(公告)号: | CN1841781A | 公开(公告)日: | 2006-10-04 |
发明(设计)人: | 黄义勋 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L27/32;H01L21/8234 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种薄膜晶体管、包括该薄膜晶体管的平板显示装置及其制备方法。非均匀结构形成在对应于沟道区域的多晶硅层图案的部分,使得沟道区域的边缘的沟道长度长于主沟道长度,从而沟道区域的边缘的电阻增加以导致流经沟道区域的边缘的电流减小,由此提高低压驱动时电路的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 平板 显示装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种薄膜晶体管,包括:形成衬底上的半导体层图案;与所述半导体层图案的中间部分相交叉的栅电极;连接到所述半导体层图案的源电极和漏电极;以及由所述半导体层图案和所述栅电极的重叠所界定的沟道区域,其中,所述沟道区域的边缘的沟道长度与所述沟道区域中间部分的沟道长度不同。
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