[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610073867.5 | 申请日： | 2006-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN1988143A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | 生云雅光;依田博行;渡边英二 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王玉双;高龙鑫 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：多个电极层，其设置在半导体衬底的指定位置上；有机绝缘膜，其通过选择性地暴露所述电极层的指定区域而形成在所述半导体衬底上；以及多个突起电极，其用于与外部连接，所述突起电极形成在所述电极层的指定区域上。位于所述突起电极外围附近的有机绝缘膜的厚度大于位于所述突起电极之间的有机绝缘膜的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：多个电极层，其设置在半导体衬底的指定位置上；有机绝缘膜，其通过选择性地暴露所述电极层的指定区域而形成在该半导体衬底上；以及多个突起电极，其用于与外部连接，所述突起电极形成在所述电极层的指定区域上；其中位于所述突起电极外围附近的有机绝缘膜的厚度大于位于所述突起电极之间的有机绝缘膜的厚度。
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