[发明专利]半导体器件和操作半导体器件的方法无效
申请号: | 200610073912.7 | 申请日: | 2006-02-24 |
公开(公告)号: | CN1835121A | 公开(公告)日: | 2006-09-20 |
发明(设计)人: | A·格拉特兹;M·罗里奇 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份公司 |
主分类号: | G11C16/04 | 分类号: | G11C16/04;G11C16/10 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 吴立明;梁永 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种非易失性半导体存储器,包括串联耦合的第一和第二浮动栅晶体管。每个浮动栅晶体管包括浮动栅。耦合到第一和第二浮动栅晶体管的可编程装置可操作地通过将选定的电荷放置在一个浮动栅内以及将小于选定电荷的电荷放置在另一个浮动栅内来表示第一或第二二进制值。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 操作 方法 | ||
【主权项】:
1、一种非易失性存储器单元,包括:包括第一浮动栅的第一浮动栅晶体管;包括第二浮动栅的第二浮动栅晶体管,第二浮动栅晶体管和第一浮动栅晶体管串联耦合;在第一浮动栅晶体管和第二浮动栅晶体管之间耦合的输出,使该输出从第一浮动栅晶体管或者第二浮动栅晶体管接收输出电压;以及耦合到第一浮动栅晶体管和第二浮动栅晶体管的编程电路,该编程电路可操作地将第一选定电荷放置在第一浮动栅内并将小于第二电荷的电荷放置在第二浮动栅内,或者可操作地将小于第一选定电荷的电荷放置在第一浮动栅内并将第二选定电荷放置在第二浮动栅内。
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