[发明专利]光掩膜、掩膜图形的生成方法及半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200610073914.6 | 申请日： | 2006-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN1854892A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 中尾修治 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;G03F1/08;G03F1/00;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种光掩膜，包括：夹持以线状延伸的中央遮光线部(5)从而实质上按照相同线宽并行的一对透光用开口图形(4)；和按照从宽度方向的两侧夹持该一对透光用开口图形(4)的方式进行配置的半透过区域。该半透过区域构成为具有使透过的光与透过透光用开口图形(4)的光相位相同这一性质的同相半透过部(2)。此外，半透过区域由微细到经过光照射而不析像这种程度的间距进行配置的图形构成。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩膜 图形 生成 方法 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种光掩膜，包括：夹持以线状延伸的中央遮光线部从而实质上按照相同线宽并行的一对透光用开口图形；以及按照从宽度方向的两侧夹持所述一对透光用开口图形来进行配置的半透过区域，所述半透过区域具有如下性质，即透过所述半透过区域的光与透过所述透光用开口图形的光相同相位相同，所述半透过区域由按照微细到经过所述光照射却不析像这种程度的间距来进行配置的图形构成。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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