[发明专利]利用了薄膜晶体管的液晶显示装置及其制造方法无效
申请号: | 200610073943.2 | 申请日: | 2006-02-10 |
公开(公告)号: | CN1835242A | 公开(公告)日: | 2006-09-20 |
发明(设计)人: | 好本芳和 | 申请(专利权)人: | 株式会社未来视野 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/136 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 岳耀锋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种利用薄膜晶体管的液晶显示装置及其制造方法,可简化生产工序,且防止源布线和栅布线的布线电阻变大。在绝缘基板(11)上形成的第1透光型感光性树脂(12)的开口部中,形成栅电极(13)和源布线(201’)以及象素接触层(21’)。在它们上面形成栅绝缘膜(14)、半导体层(15)、欧姆接触层(n+半导体层)(16)和保护膜(17)。而且,在第2透光型感光性树脂(12’)的开口部中,形成源电极(19)、漏电极(19’)和象素电极(21)。形成在第2透光型感光性树脂的开口部中的交叉部连接布线,与源布线或者栅布线相同地,是把喷墨涂敷的含有银微粒的墨烧焙而成的烧焙的银。 | ||
搜索关键词: | 利用 薄膜晶体管 液晶 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种液晶显示装置,在绝缘基板上具有:依次形成有栅电极、栅绝缘膜、半导体层、欧姆接触层、源电极、漏电极、保护膜且配置为矩阵状的薄膜晶体管,形成有栅电极的栅布线,连接到源电极的源布线,以及在栅布线或者源布线处的交叉部连接布线,其特征在于:在上述栅布线、源布线、交叉部连接布线中,至少栅布线和源布线形成在透光型感光性树脂的开口部中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的