[发明专利]基板处理装置及基板处理方法无效
申请号: | 200610074072.6 | 申请日: | 2006-04-04 |
公开(公告)号: | CN1865496A | 公开(公告)日: | 2006-11-22 |
发明(设计)人: | 上田聪;中岛环 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23F4/00;H01L21/205;H01L21/31;H01L21/3065;H01L21/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了一种基板处理装置及基板处理方法。基板处理装置(100)有用处理气体(106)处理基板(103)的反应室(101)、设在反应室(101)内且设置基板(103)的基板支撑部(102)及将处理气体(106)导入反应室(101)内的喷头(104);喷头(104)有形成了让处理气体(106)扩散的多个贯通孔(110)且设为与基板支撑部(102)面对面的板状气体扩散板(107);气体扩散板(107)有中央部和厚度比中央部薄的边缘部;多个贯通孔(110)中设在边缘部的贯通孔长度短于多个贯通孔(110)中设在中央部的贯通孔长度。因此能提供能对基板表面进行均匀的基板处理的基板处理装置及基板处理方法。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,包括:用以用处理气体处理基板的反应室,设在所述反应室内、用以设置所述基板的基板支撑部,以及用以将所述处理气体导入所述反应室内的喷头;所述喷头,具有形成有用以让所述处理气体扩散的多个贯通孔、并且设为与所述基板支撑部面对面的板状气体扩散板,其特征在于:所述气体扩散板具有中央部和与所述中央部相比厚度更薄的边缘部;与所述多个贯通孔中设在所述中央部的贯通孔长度相比,所述多个贯通孔中设在所述边缘部的贯通孔长度更短。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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