[发明专利]异质结双极晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200610074156.X | 申请日： | 2006-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN1870291A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 村山启一 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明揭示一种异质结双极晶体管及其制造方法，对外部基极区下的集电极区进行离子注入，并且在其上部的外部基极区上设置电容膜(110)。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 双极晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种异质结双极晶体管，在衬底上叠积半导体层而形成，其特征在于，包括在所述衬底上形成的第1导电型子集电极层、在所述子集电极层上形成的第1导电型集电极层、形成在所述集电极层上并由本征基极区和外部基极区构成的第2导电型基极层、在所述本征基极区上形成的第1导电型发射极层、在所述外部基极区上形成的电容膜、在所述电容膜上形成的上部电极、以及在所述外部基极区上形成的第1基极，并且离子注入所述电容膜的下层的所述子集电极层与所述集电极层。
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